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這意味著器件暗電流是需要考慮的重要品質(zhì)因數(shù)。低暗電流可以保證響應(yīng)范圍，減少噪聲波動(dòng)。一般來說，構(gòu)建結(jié)型器件可以有效抑制暗電流。但對(duì)于厚鈣鈦礦X射線探測(cè)器，結(jié)器件的性能普遍較差，尤其是p-n結(jié)。底層機(jī)制仍不清楚。

由中國(guó)華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室牛光大教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)總結(jié)并建立了厚鈣鈦礦X射線探測(cè)器的暗電流模型。

他們定量評(píng)估了與像素電路集成的X射線成像器的暗電流要求，該要求低至每平方厘米納安。此外，半導(dǎo)體器件分析和仿真表明，厚鈣鈦礦X射線探測(cè)器的主要電流分量包括熱電子發(fā)射電流和產(chǎn)生復(fù)合電流兩種。

他們?cè)谛ぬ鼗蚿n結(jié)器件結(jié)構(gòu)上設(shè)計(jì)了多組實(shí)驗(yàn)，以表明厚探測(cè)器中通常觀察到的p-n結(jié)失效是由異能帶失配和界面缺陷引起的高生成復(fù)合電流引起的。研究人員認(rèn)為，這項(xiàng)工作可以深入了解應(yīng)用于X射線成像儀的高靈敏度和低暗電流鈣鈦礦探測(cè)器的設(shè)計(jì)。