臺灣媒體Digitimes報導(dǎo)，tsmc將擴(kuò)張購置EUV 機(jī)器設(shè)備，2020年機(jī)器設(shè)備就將超出50 之?dāng)?shù)，可能達(dá)到55 臺，十分豐厚。相較下，三星很有可能還不上一半，而intel更少，這將令tsmc不斷保持制造優(yōu)點(diǎn)。從EUV 光罩盒的購置量來看也適用那樣的叫法。
而從以前的信息來看，tsmc是不容置疑的EUV大顧客。
tsmc買下來銷售市場上50%的EUV光刻技術(shù)
在上月舉辦的tsmc技術(shù)性討論會上，最重要的管理中心信息內(nèi)容之一是，該企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)處在全球領(lǐng)先水平，尤其是在領(lǐng)跑的生產(chǎn)工藝行業(yè)。
為進(jìn)一步傳達(dá)信息，tsmc展現(xiàn)了一張ppt，強(qiáng)調(diào)了它與別的商品的相對位置：根據(jù)融合ASML的申明和自身的內(nèi)部訂貨單，tsmc預(yù)測分析她們已安裝了全球約約50％的激話EUV設(shè)備。此外，該企業(yè)還有著約60％的EUV圓晶總計總產(chǎn)量。
大中型晶圓廠現(xiàn)階段已經(jīng)知道的公布EUV加工工藝包含TSMC的7 和N5，及其三星的7LPP（及下列一切商品），intel的EUV勤奮僅在2020年進(jìn)到其自身的7nm產(chǎn)品組合策略。這種步驟以外的一切前沿科技都將再次擴(kuò)張EUV的應(yīng)用范疇。
與基本DUV設(shè)備對比，EUV設(shè)備的吞吐量率一般較低，每鐘頭約為120-175片晶圓，最新版能夠做到275 wph，可是因為1層EUV一般能夠替代3-4層DUV，因而吞吐量率高些?？墒?，針對這種代工企業(yè)而言，期盼拓展到好幾個EUV設(shè)備以提升圓晶的物理學(xué)總數(shù)是一個急切的總體目標(biāo) 。
唯一生產(chǎn)制造EUV設(shè)備的企業(yè)是ASML，而且該企業(yè)公布公布其每一年市場銷售是多少臺設(shè)備。詳細(xì)信息以下：
一定要注意，到迄今為止，ASML仍未徹底做到其總體目標(biāo)，可是早已充足貼近達(dá)到目標(biāo)，這說明到今年第二季末，ASML僅交貨了13臺，但她們預(yù)估是35個系統(tǒng)軟件。這種數(shù)據(jù)包含ASML已生產(chǎn)制造的全部不一樣種類的Twinscan NXE設(shè)備，而升級的設(shè)備具備高些的貨運(yùn)量（有時候會翻修一些舊的設(shè)備）。截止到今年Q2，大家預(yù)測分析ASML早已送貨的EUV機(jī)貼近71臺，到今年年末，這一數(shù)據(jù)將有可能做到90臺，殊不知ASML很有可能有高達(dá)庫存積壓49 EUV掃描儀曝光機(jī)訂單信息，即便具備這種送貨總體目標(biāo)。
假如ASML早已交貨了71臺設(shè)備，那麼依據(jù)tsmc的數(shù)據(jù)，這代表著該企業(yè)大概有30-35臺。一定要注意，TSMC的數(shù)據(jù)是對于“已安裝的EUV”設(shè)備的。大家獲知，從獲得零件到校正設(shè)備應(yīng)用數(shù)最多必須6個月的時間。因而，現(xiàn)階段，這種晶圓廠中有一些已經(jīng)等候安裝EUV設(shè)備，或是在Intel的狀況下，很有可能僅用以初期檢測或風(fēng)險性前實驗。我們知道，GlobalFoundries有著兩部初期的EUV設(shè)備，安裝了一臺，可是當(dāng)它決策不追求完美領(lǐng)跑的7nm時最后售賣了這兩臺設(shè)備，在其中中國
公司購買了一臺，但據(jù)大家孰知，因為英國釋放的限定，它沒有安裝。。
伴隨著tsmc為其N5生產(chǎn)制造提升其Fab 18的生產(chǎn)能力，并提升 其EUV處理速度，看一下tsmc是不是受限于其所有著的設(shè)備總數(shù)是不是受限制將很趣味。在某一情況下，intel在布署7納米技術(shù)加工工藝時也會想選購一個總數(shù)（我已經(jīng)見到intel早已最少有10臺設(shè)備，但我沒法確定），因此 很有可能會有一個誰先得到訂單信息的爭執(zhí)。
可是能夠毫無疑問的是，ASML正處在正中間部位，壟斷性著一切。
ASML產(chǎn)品研發(fā)下一代EUV光刻技術(shù)：屏幕分辨率提高70% 靠近1nm極限
如前文常說，在EUV光刻技術(shù)層面，西班牙ASML企業(yè)壟斷性了現(xiàn)階段的EUV光刻技術(shù)，上年交貨26臺，造就了新記錄。而據(jù)今年初的報導(dǎo)，ASML企業(yè)已經(jīng)產(chǎn)品研發(fā)新一代EUV光刻技術(shù)，預(yù)估在2023年剛開始交貨。依據(jù)ASML以前的匯報，上年她們交貨了26臺EUV光刻技術(shù)，預(yù)估今年交貨35臺EUV光刻技術(shù)，二零二一年則會做到45臺到50臺的交貨量，是今年的二倍上下。
現(xiàn)階段ASML交貨的光刻技術(shù)主要是NXE:3400B及改進(jìn)版的NXE:3400C，二者基礎(chǔ)構(gòu)造同樣，但NXE:3400C選用模塊化，維護(hù)保養(yǎng)更為方便快捷，均值檢修時間將從兩天減少到8-10鐘頭，適用7nm、5nm。
除此之外，NXE:3400C的生產(chǎn)能力也從以前的125WPH（每鐘頭解決圓晶數(shù)）提高來到175WPH。
無論NXE:3400B還是NXE:3400C，現(xiàn)階段的EUV光刻技術(shù)還是第一代，主要特點(diǎn)是物鏡系統(tǒng)軟件的NA（數(shù)值孔徑）為0.33。
ASML近期疏漏她們?nèi)栽诋a(chǎn)品研發(fā)新一代EUV光刻技術(shù)EXE:5000系列產(chǎn)品，NA指標(biāo)值做到了0.55，關(guān)鍵合作方是卡爾蔡司、IMEC丹麥微電子技術(shù)管理中心。
與以前的光刻技術(shù)對比，新一代光刻技術(shù)代表著屏幕分辨率提高了70%上下，能夠進(jìn)一步提高光刻技術(shù)的精密度，終究ASML以前的總體目標(biāo)是看準(zhǔn)了2nm乃至極限的1nm加工工藝的。
但是新一代EUV光刻技術(shù)還有點(diǎn)兒早，最少到2023年才可以交貨，規(guī)模性交貨要到2024年乃至2030年，到時候tsmc、三星等企業(yè)的確要考慮到3nm下列的制造加工工藝了。
