9月19日，英諾賽科
蘇州市第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)基地舉辦機器設備搬進典禮。這代表著英諾賽科
蘇州市第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)基地剛開始由工業(yè)廠房基本建設環(huán)節(jié)進到批量生產(chǎn)提前準備環(huán)節(jié)，意味著世界最大氮化鎵加工廠宣布基本建設進行，另外也意味著中國半導體自主創(chuàng)新史踏入一個新世界。
該新項目完工后將變成世界最大的集產(chǎn)品研發(fā)、設計方案、外延性生產(chǎn)制造、芯片制造、檢測相當于一體的第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)制造服務平臺，滿生完孩子將完成月產(chǎn)5.5英寸硅基氮化鎵圓晶65000片，商品將為5G
移動通信技術、大數(shù)據(jù)中心、新能源車、自動駕駛、
手機快充等發(fā)展戰(zhàn)略新型產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新發(fā)展趨勢出示關鍵電子元件。
英諾賽科
蘇州市第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)基地坐落于
江蘇蘇州吳江區(qū)汾湖高新園區(qū)，總占地面積24.五萬平米，歸屬于
江蘇重點項目建設，一期投資額超60億人民幣中國人民幣。新項目預估今年底進到試產(chǎn)環(huán)節(jié)。
英諾賽科有關責任人表明，氮化鎵輸出功率集成ic批量生產(chǎn)線的通線建成投產(chǎn)，彌補了在我國高檔半導體元器件的產(chǎn)業(yè)鏈空缺，另外也代表著牽制在我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術性短板獲得提升。
